SUTE絕緣膜

SUTE絕緣膜具有很高的電阻率(高於1010Ω·cm)和擊穿場強，而電子結構特點是禁帶寬度大。為了用於高頻絕緣，還要求材料具有低的介電損耗。絕緣膜有無機和有機兩類。

具有很高的電阻率(高於1010Ω·cm)和擊穿場強，而電子結構特點是禁帶寬度大。為了用於高頻絕緣，還要求材料具有低的介電損耗。絕緣膜有無機和有機兩類。

能夠保證良好電絕緣性的薄膜。這種薄膜應當具有很高的電阻率(高於(yu) 1010Ω·cm)和擊穿場強，而電子結構特點是禁帶寬度大。為(wei) 了用於(yu) 高頻絕緣，還要求材料具有低的介電損耗。絕緣膜有無機和有機兩(liang) 類。無機絕緣體(ti) 通常稱為(wei) 電介質，常用的有氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氮化鋁；常用的有機絕緣膜材料有聚酰亞(ya) 胺、聚乙烯、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯。不論是無機還是有機絕緣體(ti) ，一般都具有在外電場作用下極化的能力。用作電絕緣膜時，希望其介電常數低，以減少介質損耗。

具有很高的電阻率(高於1010Ω·cm)和擊穿場強，而電子結構特點是禁帶寬度大。為了用於高頻絕緣，還要求材料具有低的介電損耗。絕緣膜有無機和有機兩類。

具有很高的電阻率(高於1010Ω·cm)和擊穿場強，而電子結構特點是禁帶寬度大。為了用於高頻絕緣，還要求材料具有低的介電損耗。絕緣膜有無機和有機兩類。