米兰国际体育中心在集成電路中也有應用

更新時間：2018-06-11 瀏覽次數：2849

表性的集成電路有襯底為矽單晶的雙極性Ic以及MOS IC(金屬一氧化物一半導體堆)等半導體集成電路。本文將要討論以超高集成化(VLSI)和超高速化為方向而開發的這些半導體集成電路中米兰国际体育中心所起的作用，以及伴隨著超I.SI化的發展，今後將提出什麽樣的絕緣膜技術等。

　　半導體集成電路是在一個單晶基片上形成非常多的(已達10s元件/芯片)雙極晶體管和MOS晶體管等器件，為了發揮各自所定的功能，並用布線互相連結起來。在這種半導體集成電路中，對米兰国际体育中心的利用，可根據其作用和所要求的特性以及在膜形成工藝中所提出的條件，分類如下：

　　1、例如MOS晶體管中的柵絕緣膜，利用了米兰国际体育中心/半導體界麵現象，由此可實現有源器件的功能；

　　2、和器件相接觸，如覆蓋在晶體表麵的SiOz膜，可以使晶體表麵的化學性質以及電學性質不活潑，從而達到穩定器件特性的目的；

　　3、如在器件之間的晶體表麵上形成的SiOz膜，使器件之間電氣隔離並在表麵上相互布線為目的的米兰国际体育中心(場氧化膜)；

　　4、布線層之間電氣絕緣為目的的層間米兰国际体育中心；

　　5、從物理的和化學的角度保護器件為目的，在集成電路的表麵上形成的作為表麵覆蓋膜的米兰国际体育中心；

　　6、用於集成電路工藝\中，並用在雜質擴散、腐蝕、襯底表麵氧化等進行局部工藝時的掩模等。

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